Структура и кристаллические формы SiC,SiC является ковалентно связанным соединением с сильной связью Si-C и имеет алмазную структуру с 75 кристаллическими формами. Основной структурной единицей решетки является ковалентно связанная тетраэдрическая координация [SiC4] и [CSi4]. Эти тетраэдры собираются в плоские слои с общими гранями, а одна вершина в слое в свою очередь соединяется со следующим сложенным тетраэдром, так что четыре тетраэдра соединяются на каждом углу, чтобы встретиться с тетракоординацией в любой точке полученного остова. Различные кристаллические формы кристаллов SiC образуются путем укладки одинаковых слоев Si-C, но в разном порядке. Основными кристаллическими формами являются 3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiC и 15R-SiC. Символы C, H и R означают кубическую, гексагональную и ромбоэдрическую гексаэдрическую структуры соответственно, а цифры перед C, H и R означают количество слоев с повторяющимися циклами вдоль оси c. Наиболее важными из этих кристаллических форм являются α-SiC и β-SiC: первая является высокотемпературной стабильной структурой, вторая - низкотемпературной. Переход от β-SiC к α-SiC начинается при 2100°C и быстро происходит при 2400°C. SiC не имеет точки плавления и имеет температуру разложения 2830°C при давлении 0,1 МПа.
Керамика из карбида кремния,Ячейка в кристаллической структуре SiC состоит из одинаковых тетраэдров Si-C, в центре которых находится атом Si, окруженный атомами C. Все структуры состоят из тетраэдров [SiC4], сложенных друг на друга, различаясь только тем, соединены ли они параллельно или антипараллельно. Чистый SiC бесцветен и прозрачен, обычно он черный из-за наличия примесей, а зеленый SiC получается при удалении остаточного C перед спеканием.